電路板絕緣層之間栓孔下孔的開孔方式可分為機(jī)械鉆孔、鐳射鉆孔和光蝕刻制程三種。由于機(jī)械鉆孔無法形成盲孔，因此在此便不再加以細(xì)述，但是到底要如何選擇以鐳射鉆孔或是光蝕刻方式來進(jìn)行開孔制程呢？利用鐳射鉆孔的例子很多，因此一直是形成栓孔下孔的主要方法之一。

1981年開始生產(chǎn)的熱導(dǎo)模組（TCM），內(nèi)層的核心部分使用CO2鐳射開出100um的貫穿孔。如圖1.2的TCM，1985年在陶瓷基板表面形成銅和聚亞醯胺的增層層，并利用準(zhǔn)分子鐳射開出50um孔徑的栓孔。這個鐳射裝置，使用特殊透鏡可以一次在cm²的面積內(nèi)進(jìn)行開孔工作。由于利用鐳射鉆孔確實(shí)有他的優(yōu)點(diǎn)，因此一開始增層層的栓孔制程便以鐳射為主。而且利用準(zhǔn)分子鐳射開孔的形狀非常漂亮不會有原本鐳射開孔形狀不能符合要求的缺點(diǎn)。

但是隨著電路板栓孔孔徑要求越來越小而且密度越來越高的情形下，是否要在工廠中購置數(shù)十臺鐳射加工機(jī)臺來進(jìn)行生產(chǎn)的方式便引起廣泛的討論。而且要達(dá)到像半導(dǎo)體晶片一樣的高密度線路，利用鐳射加工方式是無法這樣的要求的。因此最理想的方式還是以光蝕刻的方式來進(jìn)行開孔。