深聯(lián)電路5G線路板廠了解到，富士康旗下的子公司成功制造出中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)首片8英寸SiC（碳化硅）晶圓。由于SiC材料晶體生長(zhǎng)難度大、材質(zhì)硬導(dǎo)致切割困難，因此此前該公司僅有能力制造最大6英寸的SiC晶圓。

富士康旗下的Taisic Materials（盛新材料科技）負(fù)責(zé)晶體生長(zhǎng)和襯底生產(chǎn)，Gigastorage負(fù)責(zé)SiC晶圓切割、研磨和拋光。盛新材料CEO表示，該公司的碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)僅比國(guó)際頭部公司W(wǎng)olfspeed落后一年，后者是目前全球唯一能夠量產(chǎn)8英寸SiC晶圓和襯底的制造商。

深聯(lián)電路汽車(chē)線路板廠了解到，盛新材料CEO稱，該公司成立只有不到3年時(shí)間，但從成立不久后就成功生長(zhǎng)出了直徑4英寸SiC晶體。但客戶更有意向使用6英寸SiC，因此公司快速進(jìn)行6英寸產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，其中導(dǎo)電N型SiC晶圓和6英寸襯底正按計(jì)劃逐步擴(kuò)大生產(chǎn)。

由于半導(dǎo)體芯片的形狀為矩形，而晶圓為圓形，因此晶圓的面積越大，利用率越高，就能切割出更多的芯片。因此，不論是單晶硅還是碳化硅，使用大尺寸晶圓/襯底制造芯片，有助于芯片廠商降低成本。

深聯(lián)電路PCB板廠了解到，該公司還表示，目前全球碳化硅產(chǎn)品比較緊缺，新能源電動(dòng)汽車(chē)逐漸從IGBT轉(zhuǎn)向更高端的SiC MOSFET，增大了碳化硅芯片的需求。該領(lǐng)域眾多公司，都在積極尋求穩(wěn)定的SiC襯底供應(yīng)來(lái)源。2023年，盛新材料計(jì)劃將碳化硅生長(zhǎng)爐的數(shù)量增加至65臺(tái)，其中5臺(tái)來(lái)自美國(guó)，10臺(tái)來(lái)自日本，其余的來(lái)自中國(guó)臺(tái)灣的Kenmec公司。