蝕刻是利用化學反應方法將PCB顯影區域的露銅剝離形成所需電路圖形的過程。酸性CuCl2蝕刻液是一種常見的用于抗蝕劑為抗蝕干膜、抗蝕印料、液態感光印料、金鍍層的蝕刻藥水。

工藝參數對蝕刻速率的影響

1.1氯化銅濃度對蝕刻速率的影響
選取鹽酸濃度2.0mol/L，氯化鉀濃度14g/L，氯酸鈉20g/L，添加劑濃度為14g/L，操作溫度為50℃，改變氯化銅濃度。考察了不同氯化銅濃度對蝕刻速率的影響，影響結果如圖1所示。

圖1 氯化銅濃度對蝕刻速率的影響

從圖1中可知，當氯化銅質量濃度小于200g/L時，蝕刻速率隨濃度增加而急劇增大；當氯化銅質量濃度為200g/L時，蝕刻速率出現最大值，為14.42μm/min；隨著氯化銅質量濃度的進一步增加，刻蝕速率先有所降低。因此，最佳氯化銅質量濃度為200g/L左右。

1.2Cu+濃度對蝕刻速率的影響
選取氯化銅濃度為200g/L，鹽酸濃度2.0mol/L，氯化鉀濃度14g/L，氯酸鈉20g/L，添加劑濃度為14g/L，操作溫度為50℃。考察了不同Cu+濃度對蝕刻速率的影響，影響結果如圖2所示。

圖2 Cu+濃度對蝕刻速率的影響