PCB廠北京大學(xué)沈波、許福軍團(tuán)隊(duì)針對(duì)大失配異質(zhì)外延導(dǎo)致氮化物寬禁帶半導(dǎo)體高缺陷密度的難題，創(chuàng)新發(fā)展了一種基于納米圖形化AlN/藍(lán)寶石模板的“可控離散和可控聚合”側(cè)向外延方法，使藍(lán)寶石襯底上AlN外延薄膜位錯(cuò)腐蝕坑密度大幅降低了兩個(gè)量級(jí)，至~104cm-2，實(shí)現(xiàn)了接近襯底級(jí)晶體質(zhì)量的AlN外延薄膜，并應(yīng)用于相關(guān)器件研制。

該成果發(fā)表于《自然·材料》雜志（Nature Materials, 2023, 22: 853–859）。

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所李明研究員-祝寧華院士團(tuán)隊(duì)借助空-時(shí)變換結(jié)合波分復(fù)用技術(shù)，采用多模干涉機(jī)理，成功研制了一款超高集成度光學(xué)卷積處理芯片，創(chuàng)造了目前光計(jì)算芯片最高算力密度記錄，該芯片調(diào)控單元數(shù)量隨矩陣規(guī)模呈線性增長(zhǎng)，有效緩解了光計(jì)算芯片規(guī)模擴(kuò)展的難題，為解決光計(jì)算芯片大規(guī)模集成探索了一個(gè)新的方向。

該成果發(fā)表于《自然·通信》雜志（Nature Communications, 2023, 14: 3000）。